三*管是一種電子元件，由半導(dǎo)體材料制成，具有三個(gè)電*，即發(fā)射*（Emitter）、基*（Base）和集電*（Collector）。它是一種雙*型晶體管，主要用于放大電流和控制電流的作用。三*管的工作原理基于PNP或NPN結(jié)構(gòu)。PNP型三*管由兩個(gè)P型半導(dǎo)體夾一個(gè)N型半導(dǎo)體組成，而NPN型三*管則由兩個(gè)N型半導(dǎo)體夾一個(gè)P型半導(dǎo)體組成�；�*與發(fā)射*之間的結(jié)為基*結(jié)，基*與集電*之間的結(jié)為集電*結(jié)。當(dāng)三*管處于正常工作狀態(tài)時(shí)，發(fā)射*與基*之間的結(jié)為正向偏置，而基*與集電*之間的結(jié)為反向偏置。這樣，當(dāng)在基*-發(fā)射*之間施加一個(gè)小的電流（稱(chēng)為基*電流）時(shí)，會(huì)引起發(fā)射*-集電*之間的大電流（稱(chēng)為集電*電流）的變化。三*管可以放大電信號(hào)，使得弱信號(hào)變得更強(qiáng)，從而提高信號(hào)的可靠性和傳輸距離。深圳晶體三*管特性

三*管的放大作用不僅局限于電流放大，還可以實(shí)現(xiàn)電壓放大和功率放大。在電壓放大電路中，三*管通過(guò)將輸入的小電壓信號(hào)放大成較大的輸出電壓信號(hào)，實(shí)現(xiàn)電壓的放大。這種放大作用是通過(guò)三*管的電流控制特性來(lái)實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)輸入電壓變化時(shí)，會(huì)引起基*電流的變化，進(jìn)而控制集電*電流的變化，從而在負(fù)載電阻上產(chǎn)生較大的電壓變化。在功率放大電路中，三*管則將輸入的小功率信號(hào)放大成較大的輸出功率信號(hào)，以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。例如，在音響系統(tǒng)率放大器就是利用三*管的功率放大作用，將音頻信號(hào)放大到足夠的功率，驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)出聲音。功率放大電路需要能夠承受較大的電流和電壓，因此對(duì)三*管的性能要求較高。三*管的功率放大能力取決于其電流放大倍數(shù)、集電*電流和集電*-發(fā)射*電壓等參數(shù)。深圳光敏三*管市場(chǎng)報(bào)價(jià)三*管的開(kāi)關(guān)速度較快，可達(dá)納秒級(jí)。

三*管的運(yùn)用：

（1）NPN型三*管，適合射*接GND集電*接負(fù)載到VCC的情況。只要基*電壓高于射*電壓（此處為GND）0.7V，即發(fā)射結(jié)正偏（VBE為正），NPN型三*管即可開(kāi)始導(dǎo)通。基*用高電平驅(qū)動(dòng)NPN型三*管導(dǎo)通（低電平時(shí)不導(dǎo)通）；基*除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計(jì)是，接下拉電阻10-20k到GND；優(yōu)點(diǎn)是：①使基*控制電平由高變低時(shí)，基*能夠更快被拉低，NPN型三*管能夠更快更可靠地截止；②系統(tǒng)剛上電時(shí)，基*是確定的低電平。
（2）PNP型三*管，適合射*接VCC集電*接負(fù)載到GND的情況。只要基*電壓低于射*電壓（此處為VCC）0.7V，即發(fā)射結(jié)反偏（VBE為負(fù)），PNP型三*管即可開(kāi)始導(dǎo)通。基*用低電平驅(qū)動(dòng)PNP型三*管導(dǎo)通（高電平時(shí)不導(dǎo)通）；基*除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計(jì)是，接上拉電阻10-20k到VCC。

三*管鍺管的穿透電流比較大，一般由幾十微安到幾百微安，硅管的穿透電流就比較小，一般只有零點(diǎn)幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大，卻與溫度有著密切的關(guān)系，它們遵循著所謂的“加倍規(guī)則”，這就是溫度每升高 10℃ ， I ceo 約增大一倍。例如，某鍺管在常溫 20℃ 時(shí)， I ceo 為 20μA ，在使用中管芯溫度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右。測(cè)量 I ceo 的電路很簡(jiǎn)單，三*管的基*開(kāi)路，在集電*與發(fā)射*之間接入電源 V CC （ 6V ），串聯(lián)在電路中的電流表（可用萬(wàn)用表中的 0.1mA 擋）所指示的電流值就是 I ceo 。晶體三*管的原理是基于PN結(jié)的電子輸運(yùn)和控制。

三*管的結(jié)構(gòu)是由三個(gè)摻雜不同的半導(dǎo)體材料層疊而成。它由以下三個(gè)部分組成：基區(qū)（BaseRegion）：基區(qū)是三*管的中間部分，通常是非導(dǎo)電的。它是由輕度摻雜的半導(dǎo)體材料（通常是硅）構(gòu)成的。發(fā)射區(qū)（EmitterRegion）：發(fā)射區(qū)位于基區(qū)的一側(cè)，通常是強(qiáng)烈摻雜的半導(dǎo)體材料（通常是硅）。發(fā)射區(qū)的摻雜濃度比基區(qū)高，形成了一個(gè)P-N結(jié)。集電區(qū)（CollectorRegion）：集電區(qū)位于基區(qū)的另一側(cè)，通常是中度摻雜的半導(dǎo)體材料（通常是硅）。集電區(qū)的摻雜濃度比基區(qū)低，形成了另一個(gè)P-N結(jié)。這三個(gè)區(qū)域的結(jié)構(gòu)形成了兩個(gè)P-N結(jié)，其中一個(gè)是發(fā)射結(jié)（EmitterJunction），另一個(gè)是集電結(jié)（CollectorJunction）。 三*管按材質(zhì)分為硅三*管和鍺三*管。深圳低頻三*管廠(chǎng)家

三*管的常見(jiàn)類(lèi)型有NPN和PNP兩種。深圳晶體三*管特性

三*管在模擬電路中的應(yīng)用非常。在模擬電路中，三*管可以作為放大器、振蕩器、濾波器等電路的元件。例如，在放大器中，三*管通過(guò)對(duì)輸入信號(hào)的放大，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的增強(qiáng)。放大器可以分為電壓放大器和功率放大器兩種。電壓放大器主要用于放大輸入信號(hào)的電壓幅度，而功率放大器則主要用于放大輸入信號(hào)的功率。在振蕩器中，三*管與電感、電容等元件組成正反饋回路，產(chǎn)生一定頻率的振蕩信號(hào)。振蕩器可以用于產(chǎn)生各種頻率的信號(hào)，如正弦波、方波等。在濾波器中，三*管可以作為有源濾波器的元件，實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的濾波。有源濾波器可以通過(guò)調(diào)整三*管的工作點(diǎn)和外部元件的參數(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)不同頻率信號(hào)的濾波。模擬電路中的三*管通常需要工作在特定的工作點(diǎn)上，以保證其性能的穩(wěn)定和可靠。工作點(diǎn)的選擇需要考慮三*管的性能參數(shù)、電路的要求以及外部環(huán)境等因素。深圳晶體三*管特性