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        深圳發(fā)光二極管原理 深圳市盟科電子科技供應

        發(fā)貨地點:廣東省深圳市

        發(fā)布時間:2024-10-05

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        紅外接收二極管的檢測方法。1. 識別管腳極性(1)從外觀上識別。常見的紅外接收二極管外觀顏色呈黑色。識別引腳時,面對受光窗口,從左至右,分別為正極和負極。另外在紅外接收二極管的管體頂端有一個小斜切平面,通常帶有此斜切平面一端的引腳為負極,深圳發(fā)光二極管原理,另一端為正極。 (2)先用萬用表判別普通二極管正、負電極的方法進行檢查,即交換紅、黑表筆兩次測量管子兩引腳間的電阻值,正常時,所得阻值應為一大一小。以阻值較小的一次為準,紅表筆所接的管腳步為負極,黑表筆所接的管腳為正極,深圳發(fā)光二極管原理。 2. 檢測性能好壞,深圳發(fā)光二極管原理。用萬用表電阻擋測量紅外接收二極管正、反向電阻,根據(jù)正、反向電阻值的大小,即可初步判定紅外接收二極管的好壞。在交流電中,二極管可以用來整流,將交流電轉(zhuǎn)換成直流電。深圳發(fā)光二極管原理

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        二極管在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代,高純度的半導體材料出現(xiàn)。因為新出現(xiàn)的鍺二極管價格便宜,晶體收音機重新開始被大規(guī)模使用。貝爾實驗室還開發(fā)了鍺二極管微波接收器。20世紀40年代中后期,美國電話電報公司在美國四處新建的微波塔上開始應用這種微波接收器,主要用于傳輸電話和網(wǎng)絡電視信號。不過貝爾實驗室并未研發(fā)出效果令人滿意的熱離子二極管微波接收器。之后隨著量子力學和半導體材料的發(fā)展和應用,逐漸發(fā)展并形成了目前人們使用的半導體二極管結(jié)構(gòu)和配套的應用產(chǎn)業(yè)。深圳半導體二極管廠家直銷二極管的壽命通常為幾千至幾萬小時。

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        二極管種類:恒流二極管(或稱定電流二極管,CRD、Current Regulative Diode)被施加順方向電壓的場合,無論電壓多少,可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然被稱為二極管,但是構(gòu)造、動作原理都與接合型電場效應電晶體相似。變?nèi)荻䴓O管施加逆向偏壓,二極管PN接合的空乏層厚度會因電壓不同而變化,產(chǎn)生靜電容量(接合容量)的變化,可當作由電壓控制的可變電容器使用。沒有機械零件所以可靠度高,普遍應用于壓控振蕩器或可變電壓濾波器,也是電視接收器和行動電話不可缺少的零件。發(fā)光二極管(light-emitting diode,LED)施加順向偏壓,可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。

        二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件  。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽極加上正向電壓時,二極管導通。 當給陽極和陰極加上反向電壓時,二極管截止。 因此,二極管的導通和截止,則相當于開關(guān)的接通與斷開二極管(Diode),是一種具有不對稱電導的雙電極電子元件。理想的二極管在正向?qū)〞r兩個電極(陽極和陰極)間擁有零電阻,而反向時則有無窮大電阻,即電流只允許由單一方向流過二極管。因此二極管具有單向?qū)щ姷奶攸c,可起到整流的作用。 它由導通變?yōu)榻刂够蛴山刂棺優(yōu)閷ㄋ璧臅r間比一般二極管短,常見的有2AK等系列,主要用于開關(guān)電路等中。

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        二極管的正向特性:外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。 當正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場被克服,二極管正向?qū),電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導通時二極管的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極管的正向電壓。 當二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值 ,內(nèi)電場很快被削弱,特性電流迅速增長,二極管正向?qū)ā?叫做門坎電壓或閾值電壓,硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V。硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V,鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。二極管的類型有很多,如硅二極管、鍺二極管、肖特基二極管等。深圳二極管特點

        開關(guān)二極管是半導體二極管的一種,是為在電路上進行"開"、"關(guān)"而特殊設計制造的一類二極管。深圳發(fā)光二極管原理

        面接觸式二極管:面接觸式PN結(jié)二極管是由一塊半導體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個半導體(如本征硅)的一端成為一個包含負極性載流子(電子)的區(qū)域,稱作N型半導體;另一端成為一個包含正極性載流子(空穴)的區(qū)域,稱作P型半導體。兩種材料在一起時,電子會從N型一側(cè)流向P型一側(cè)。這一區(qū)域電子和電洞相互抵銷,造成中間區(qū)域載流子不足,形成“空乏層”。在空乏層內(nèi)部存在“內(nèi)電場”:N型側(cè)帶正電,P型側(cè)帶負電。兩塊區(qū)域的交界處為PN結(jié),晶體允許電子(外部來看)從N型半導體一端,流向P型半導體一端,但是不能反向流動。深圳發(fā)光二極管原理

         

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