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        中山瞬變抑制二極管使用注意事項(xiàng) 深圳市盟科電子科技供應(yīng)

        發(fā)貨地點(diǎn):廣東省深圳市

        發(fā)布時(shí)間:2024-09-17

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        詳細(xì)信息

        半導(dǎo)體二極管的非線性電流-電壓特性,可以根據(jù)選擇不同的半導(dǎo)體材料和摻雜不同的雜質(zhì)從而形成雜質(zhì)半導(dǎo)體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關(guān)的方式之外,中山瞬變抑制二極管使用注意事項(xiàng),還有很多其他的功能,如:用來調(diào)節(jié)電壓(齊納二極管),限制高電壓從而保護(hù)電路(雪崩二極管),無線電調(diào)諧(變?nèi)荻䴓O管),產(chǎn)生射頻振蕩(隧道二極管、耿氏二極管、IMPATT二極管)以及產(chǎn)生光(發(fā)光二極管)。半導(dǎo)體二極管中,中山瞬變抑制二極管使用注意事項(xiàng),有利用P型和N型兩種半導(dǎo)體接合面的PN結(jié)效應(yīng),也有利用金屬與半導(dǎo)體接合產(chǎn)生的肖特基效應(yīng)達(dá)到整流作用的類型。若是PN結(jié)型的二極管,在P型側(cè)就是陽極,N型側(cè)則是陰極,中山瞬變抑制二極管使用注意事項(xiàng)。 它只能從一個(gè)方向?qū)щ姡鴱牧硪粋(gè)方向不導(dǎo)電。中山瞬變抑制二極管使用注意事項(xiàng)

        中山瞬變抑制二極管使用注意事項(xiàng),二極管

        二極管的起源早在20世紀(jì)40年代,人們就開始利用金屬-半導(dǎo)體接觸的單向?qū)щ娦,?dāng)時(shí)將金屬絲與氧化亞銅晶體接觸做成點(diǎn)接觸型二極管,將這種較簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體器件用于檢波。利用薄膜淀積技術(shù)可在半導(dǎo)體表面形成大面積的金屬-半導(dǎo)體整流接觸,做成面接觸型的金屬-半導(dǎo)體二極管,習(xí)慣上稱之為肖特基勢(shì)壘二極管,簡(jiǎn)稱為肖特基二極管。目前,功率肖特基勢(shì)壘二極管主要用鉻、鉑、鎢、鋁等金屬與N型低阻硅制成  這里需要對(duì)陰極金屬與重?fù)诫s的N+層之間的接觸進(jìn)行說明。首先肯定是該接觸為歐姆接觸,與陽極的金屬-半導(dǎo)體的整流接觸不同。歐姆接觸不光光看金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)之差。更廣義的所謂歐姆接觸,是指接觸電阻很小且不隨外加電壓的變化而改變其阻值的線性接觸。 中山常用二極管多少錢二極管的導(dǎo)通與截止要有電壓控制,電路中VD1正極通過電阻R1、開關(guān)S1與直流電壓+V端相連。

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        二極管PN結(jié)形成原理:P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體(一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體)摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì),如硼等。因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子,它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵,因缺少一個(gè)電子,在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位,當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位,使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子,而原來的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子,形成了空穴,但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主,空穴為多數(shù)載流子,自由電子為少數(shù)載流子。 N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子,如磷等。摻入后,它與硅原子形成共價(jià)鍵,產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。

        二極管的發(fā)現(xiàn)和發(fā)展:1874年,德國(guó)物理學(xué)家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學(xué)院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開發(fā)出的代二極管一一“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。20世紀(jì)初,由于無線電*的需要,熱離子二極管(真空管)和固態(tài)二極管(半導(dǎo)體二極管)大約在相同的時(shí)間分別研發(fā)。直到20世紀(jì)50年代之前,真空管二極管在收音機(jī)中都更為常用。這是因?yàn)樵缙诘狞c(diǎn)接觸式半導(dǎo)體二極管(貓須探測(cè)器)并不穩(wěn)定,并且那時(shí)大多數(shù)的收音機(jī)放大器都是由真空管制成,二極管可以直接放入其中。而且那時(shí)真空管整流器和充氣整流器處理一些高電壓、高電流整流任務(wù)的能力更是遠(yuǎn)在半導(dǎo)體二極管(如硒整流器)之上,F(xiàn)如今的二極管大多是使用硅來生產(chǎn),鍺等其它半導(dǎo)體材料有時(shí)也會(huì)用到。目前常見的結(jié)構(gòu)是,一個(gè)半導(dǎo)體性能的結(jié)晶片通過PN結(jié)連接到兩個(gè)電終端。 面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大,可以通過較大的電流,也能承受較高的反向電壓。

        中山瞬變抑制二極管使用注意事項(xiàng),二極管

        二極管在汞弧閥(具有冷陰極的汞蒸氣離子閥)中,一種難熔的導(dǎo)電陽極與一池作為陰極的液態(tài)汞之間會(huì)形成電弧,電壓?jiǎn)挝豢蛇_(dá)數(shù)百千瓦,這對(duì)高壓直流輸電的發(fā)展起到了促進(jìn)作用。一些小型的熱離子整流器有時(shí)候也用汞蒸氣填充,以減少他們的正向壓降并增加這種熱離子強(qiáng)真空器件的電流額定值。整個(gè)真空管時(shí)代,這種二極管應(yīng)用于模擬信號(hào),并在消費(fèi)電子產(chǎn)品(如收音機(jī)、電視機(jī)、音響系統(tǒng))的直流供電設(shè)備中當(dāng)做整流器。20世紀(jì)40年代,在那些供電設(shè)備內(nèi)的真空管開始被硒整流器所替代,然后在1960年代又被半導(dǎo)體二極管替代。如今,真空管仍然在一些高功率應(yīng)用場(chǎng)合中使用,由于能夠承受瞬變和較好的魯棒性,使得他們比半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)能夠顯現(xiàn)出來。尤其是音頻處理上,真空管基本不存在瞬態(tài)互調(diào)失真、開關(guān)失真及交越失真等影響音質(zhì)的問題。因此近年來,在音響發(fā)燒友和錄音棚所用的音頻設(shè)備中,應(yīng)用真空二極管的老式音頻設(shè)備有回潮的跡象,如家用音響系統(tǒng)甚至是吉他效果器。二極管的截止電壓稱為反向擊穿電壓。廣東雙向觸發(fā)二極管

        二極管的類型有很多,如硅二極管、鍺二極管、肖特基二極管等。中山瞬變抑制二極管使用注意事項(xiàng)

        二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng),形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。 當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí),PN結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對(duì),產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 中山瞬變抑制二極管使用注意事項(xiàng)

         

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