三*管的穿透電流ICEO的數(shù)值近似等于管子的倍數(shù)β和集電結(jié)的反向電流ICBO的乘積。ICBO隨著環(huán)境溫度的升高而增長(zhǎng)很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大，中山平面三*管測(cè)量方法。而ICEO的增大將直接影響管子工作的穩(wěn)定性，所以在使用中應(yīng)盡量選用ICEO小的管子。通過(guò)用萬(wàn)用表電阻直接測(cè)量三*管e－c*之間的電阻方法，可間接估計(jì)ICEO的大小，具體方法如下：萬(wàn)用表電阻的量程一般選用R×100或R×1K擋，對(duì)于PNP管，黑表管接e*，紅表筆接c*，對(duì)于NPN型三*管，黑表筆接c*，紅表筆接e*。要求測(cè)得的電阻越大越好。e－c間的阻值越大，說(shuō)明管子的ICEO越��；反之，所測(cè)阻值越小，說(shuō)明被測(cè)管的ICEO越大。一般說(shuō)來(lái)，中、小功率硅管、鍺材料低頻管，其阻值應(yīng)分別在幾百千歐，中山平面三*管測(cè)量方法、幾十千歐及十幾千歐以上，如果阻值很小或測(cè)試時(shí)萬(wàn)用表指針來(lái)回晃動(dòng)，則表明ICEO很大，管子的性能不穩(wěn)定。 三*管可以作為振蕩器，中山平面三*管測(cè)量方法，產(chǎn)生高頻信號(hào)，用于無(wú)線電通信、雷達(dá)等領(lǐng)域。中山平面三*管測(cè)量方法

三*管的腳位判斷，三*管的腳位有兩種封裝排列形式，三*管是一種結(jié)型電阻器件，它的三個(gè)引腳都有明顯的電阻數(shù)據(jù)，測(cè)試時(shí)（以數(shù)字萬(wàn)用表為例，紅筆+，黒筆-）我們將測(cè)試檔位切換至 二*管檔 （蜂鳴檔）標(biāo)志符號(hào)：正常的NPN結(jié)構(gòu)三*管的基*（B）對(duì)集電*（C）、發(fā)射*（E）的正向電阻是430Ω-680Ω（根據(jù)型號(hào)的不同，放大倍數(shù)的差異，這個(gè)值有所不同）反向電阻無(wú)窮大；正常的PNP 結(jié)構(gòu)的三*管的基*（B）對(duì)集電*（C）、發(fā)射*（E）的反向電阻是430Ω-680Ω，正向電阻無(wú)窮大。 河源三*管哪家好三*管的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-220等。

晶體三*管（以下簡(jiǎn)稱三*管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三*管，（其中，N是負(fù)*的意思（英文中Negative），N型半導(dǎo)體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電，而P是正*的意思（Positive）是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導(dǎo)電）。兩者除了電源*性不同外，其工作原理都是相同的對(duì)于NPN管，它是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié)，三條引線分別稱為發(fā)射*e （Emitter）、基*b (Base)和集電*c (Collector)。

電子制作中常用的三*管有9 0× ×系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號(hào)一般都標(biāo)在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標(biāo)準(zhǔn)封裝。在老式的電子產(chǎn)品中還能見(jiàn)到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31 （低頻小功率鍺管） 等，它們的型號(hào)也都印在金屬的外殼上。一部分的3表示為三*管。 二部分表示器件的材料和結(jié)構(gòu)，A： PNP型鍺材料 B： NPN型鍺材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光電管 K：開(kāi)關(guān)管 X：低頻小功率管 G：高頻小功率管 D：低頻大功率管 A：高頻大功率管。另外，3DJ型為場(chǎng)效應(yīng)管，BT打頭的表示半導(dǎo)體特殊元件。 三*管是一種非常重要的半導(dǎo)體器件，它的應(yīng)用范圍非常廣。

三*管有截止、放大、飽和三種工作狀態(tài)。放大狀態(tài)主要應(yīng)用于模擬電路中，且用法和計(jì)算方法也比較復(fù)雜，而數(shù)字電路主要使用的是三*管的開(kāi)關(guān)特性，只用到了截止與飽和兩種狀態(tài)。三*管的用法特點(diǎn)，關(guān)鍵點(diǎn)在于B*（基*）和E級(jí)（發(fā)射*）之間的電壓情況，對(duì)于NPN 而言，B *電壓只要高于 E級(jí) 0.7V 以上，這個(gè)三*管 C 級(jí)和E 級(jí)之間就可以順利導(dǎo)通。 同理，PNP型三*管的導(dǎo)通條件是E*比 B*電壓高 0.7V。uCE中的交流量 有一部分經(jīng)過(guò)耦合電容到達(dá)負(fù)載電阻，形成輸出電壓。完成電路的放大作用。 三*管可以用作放大器、開(kāi)關(guān)和振蕩器。深圳開(kāi)關(guān)三*管加工廠

晶體三*管的原理是基于PN結(jié)的電子輸運(yùn)和控制。中山平面三*管測(cè)量方法

三*管*限參數(shù) 集電*大允許電流ICM當(dāng)集電*電流超過(guò)一定值時(shí)，β就要下降，當(dāng)β值下降到線性放大區(qū)β值的2/3時(shí)，所對(duì)應(yīng)的集電*電流稱為集電*大允許電流ICM。當(dāng)IC>ICM時(shí)，并不表示三*管會(huì)損壞。 集電*大允許功率損耗PCM集電*電流通過(guò)集電結(jié)時(shí)所產(chǎn)生的功耗， PCM= ICUCB≈ICUCE，因發(fā)射結(jié)正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集電結(jié)上。在計(jì)算時(shí)往往用UCE取代UCB。反向擊穿電壓U(BR)CEO反向擊穿電壓U(BR)CEO,U(BR)CEO一一基*開(kāi)路時(shí)集電*和發(fā)射*間的擊穿電壓。中山平面三*管測(cè)量方法

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