三極管因為受到電阻Rc的限制(Rc是固定值，那么大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無限增加下去的。當基極電流的增大，不能使集電極電流繼續(xù)增大時，東莞放大三極管，東莞放大三極管，三極管就進入了飽和狀態(tài)。一般判斷三極管是否飽和的準則是：Ib*β〉Ic，東莞放大三極管。進入飽和狀態(tài)之后，三極管的集電極跟發(fā)射極之間的電壓將很小，可以理解為一個開關閉合了。這樣我們就可以拿三極管來當作開關使用：當基極電流為0時，三極管集電極電流為0(這叫做三極管截止)，相當于開關斷開;當基極電流很大，以至于三極管飽和時，相當于開關閉合。如果三極管主要工作在截止和飽和狀態(tài)，那么這樣的三極管我們一般把它叫做開關管。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結。東莞放大三極管
三極管放大原理發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子電源Ub經過電阻Rb加在發(fā)射結上，發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)的多數載流子（自由電子）不斷地越過發(fā)射結進入基區(qū)，形成發(fā)射極電流Ie。同時基區(qū)多數載流子也向發(fā)射區(qū)擴散，但由于多數載流子濃度遠低于發(fā)射區(qū)載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發(fā)射結主要是電子流。電子進入基區(qū)后，先在靠近發(fā)射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區(qū)中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區(qū)形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區(qū)很�。┡c基區(qū)的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力。南京鍺管三極管用途三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類。
正向放大區(qū)（或簡稱放大區(qū)）：當發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置時，晶體管工作在放大區(qū)。大多數雙極性晶體管的設計目標，是為了在正向放大區(qū)得到大的共射極電流增益。晶體管工作在這一區(qū)域時，集電極-發(fā)射極電流與基極電流近似成線性關系。由于電流增益的緣故，當基極電流發(fā)生微小的擾動時，集電極-發(fā)射極電流將產生較為有名變化。反向放大區(qū)：當發(fā)射結反向偏置，集電結正向偏置時，晶體管工作在反向放大區(qū)。此時發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的作用與正向放大區(qū)正好相反，但由于集電區(qū)的摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，反向放大區(qū)產生的放大效果小于正向放大區(qū)。而大多數雙極性晶體管的設計目標是盡可能得到大正向放大電流增益，因此在實際這種工作模式幾乎不被采用。
三極管的工作原理：是輸出信號范圍的要求，如果沒有加偏置，那么只有對那些增加的信號放大，而對減小的信號無效(因為沒有偏置時集電極電流為0，不能再減小了)。而加上偏置，事先讓集電極有一定的電流，當輸入的基極電流變小時，集電極電流就可以減小;當輸入的基極電流增大時，集電極電流就增大。這樣減小的信號和增大的信號都可以被放大了。因為發(fā)射區(qū)多子濃度高，使大量電子從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)，擴散運動形成發(fā)射極電流 ；因為基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數擴散到基區(qū)的電子與空穴復合，復合運動形成基極電流 ；因為集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分擴散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)，漂移運動形成集電極電流 。盟科電子是生產三極管的廠家，主要SMD封裝，小信號開關三極管。
晶體管是一種與其他電路元件結合使用時可產生電流增益、電壓增益和信號功率增益的多結半導體器件。因此，晶體管稱為有源器件，而二極管稱為無源器件。晶體管的基本工作方式是在其兩端施加電壓時控制另一端的電流。晶體管兩種主要類型：雙極型晶體管(BJT)和場效應管(FET)。雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor-BJT)作為兩種主要類型的晶體管之一，又稱為半導體三極管、晶體三極管，簡稱晶體管。它由兩個PN結組合而成，有兩種載流子參與導電是一種電流控制電流源器件。晶體三極管主要應用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能。BJT、JFET、MOS管，半導體三極管里較基礎、較重要的三劍客。南京鍺管三極管用途
三極管按功率分：小功率管、中型率管、大功率管。東莞放大三極管
電子制作中常用的三極管有9 0× ×系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31 （低頻小功率鍺管） 等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。一部分的3表示為三極管。 二部分表示器件的材料和結構，A： PNP型鍺材料 B： NPN型鍺材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光電管 K：開關管 X：低頻小功率管 G：高頻小功率管 D：低頻大功率管 A：高頻大功率管。另外，3DJ型為場效應管，BT打頭的表示半導體特殊元件。東莞放大三極管
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