發(fā)貨地點(diǎn):廣東省深圳市
發(fā)布時(shí)間:2024-07-06
2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護(hù)的場(chǎng)效應(yīng)管,封裝形式為SOT-23,深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場(chǎng)效應(yīng)管的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用。主要生產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管,三*管,二*管,可控硅,LDO等。質(zhì)量可靠,且提供全程的售前售后服務(wù)。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強(qiáng)型帶靜電保護(hù)MOS,ESD可達(dá)2000V,其電壓BVDSS是大于60V,電流ID可達(dá)300mA,阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆,開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V,深圳中低功率場(chǎng)效應(yīng)管出廠價(jià)。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS,標(biāo)準(zhǔn)絲印為7002和02K,深圳中低功率場(chǎng)效應(yīng)管出廠價(jià),也可以支持ODM定制,交期大多在15天就可以產(chǎn)出,深圳中低功率場(chǎng)效應(yīng)管出廠價(jià)。主要用于電腦主板,鍵盤鼠標(biāo)等。中低壓mos哪家品質(zhì)好?深圳中低功率場(chǎng)效應(yīng)管出廠價(jià)
盟科電子中低壓MOS管很有優(yōu)勢(shì),選型上電壓從20V-100V,電流從2A-50A等。用于消費(fèi)類市場(chǎng),如MK2301MK2302MK3400MK3401這些為耐壓20V30V的MOS管,成本低,用作開關(guān),調(diào)檔。小風(fēng)扇,電動(dòng)玩具,按摩器,安防市場(chǎng)等。外觀選型上,小體積的有SOT-23、SOT-23-3L、SOT-23-6L,大體積的有TO-252。本司晶圓大多選用進(jìn)口芯片,十幾年的封裝經(jīng)驗(yàn)使得我們的產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,依靠我們的MES制造執(zhí)行系統(tǒng),讓我們的制程更加可控。公司產(chǎn)品可以完美匹配AO萬(wàn)代,SI威世,LRC樂(lè)山無(wú)線電,長(zhǎng)晶科技等,歡迎客戶索要樣品測(cè)試,我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)。中山SOT-23場(chǎng)效應(yīng)管哪家好MK3407的參數(shù)是多少?
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(縮寫FET)簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單*型晶體管。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過(guò)VGS(柵源電壓)來(lái)控制ID(漏*電流);場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流*小,因此它的輸入電阻很大。它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三*管組成放大電路的電壓放大系數(shù);由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲相對(duì)會(huì)比較低。一般可應(yīng)用于遙控玩具。
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試方法(1).準(zhǔn)備工作測(cè)量之前,先把人體對(duì)地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通,使人體與大地保持等電位。再把管腳分開,然后拆掉導(dǎo)線。(2).判定電*將萬(wàn)用表?yè)苡赗×100檔,首先確定柵*。若某腳與其它腳的電阻都是無(wú)窮大,證明此腳就是柵*G。交換表筆重測(cè)量,S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐,其中阻值較小的那一次,黑表筆接的為D*,紅表筆接的是S*。(3).檢查放大能力(跨導(dǎo))將G*懸空,黑表筆接D*,紅表筆接S*,然后用手指觸摸G*,表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵*G1、G2。為區(qū)分之,可用手分別觸摸G1、G2*,其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2*。目前有的MOSFET管在G-S*間增加了保護(hù)二*管,平時(shí)就不需要把各管腳短路了。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類,不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)*易被靜電擊穿,使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則:(1).MOS器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中,切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起,或用錫紙包裝。2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng),應(yīng)用金屬盤來(lái)盛放待用器件。(3).焊接用的電烙鐵必須良好接地。MK3400是一款SOT-23封裝,30V 5.8A的N型MOS。
場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三*管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三*管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三*管MOSFET。MOS場(chǎng)效應(yīng)管有增強(qiáng)型(EnhancementMOS或EMOS)和耗盡型(MOS或DMOS)兩大類,每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電*:D(Drain)稱為漏*,相當(dāng)雙*型三*管的集電*;G(Gate)稱為柵*,相當(dāng)于雙*型三*管的基*;S(Source)稱為源*,相當(dāng)于雙*型三*管的發(fā)射*。增強(qiáng)型MOS(EMOS)場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對(duì)稱的拓?fù)錁?gòu)造,它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N型區(qū),從N型區(qū)引出電*,一個(gè)是漏*D,一個(gè)是源*S。在源*和漏*之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵*G。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat),用符號(hào)B表示。工作原理1.溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時(shí),漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的二*管,在D、S之間加上電壓,不會(huì)在D、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵*加有電壓時(shí),若0<Vgs<Vgs(th)時(shí)(VGS(th)稱為開啟電壓),經(jīng)過(guò)柵*和襯底間的電容作用,將靠近柵*下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件,由vGS控制iD,其放大系數(shù)gm一般較小,因此場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力較差。東莞雙N場(chǎng)效應(yīng)管多少錢
場(chǎng)效應(yīng)管和mos管的區(qū)別是什么?深圳中低功率場(chǎng)效應(yīng)管出廠價(jià)
電子產(chǎn)品失效故障中,虛焊焊點(diǎn)失效占很大比重,據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)字表明,在電子整機(jī)產(chǎn)品故障中,有將近一半是由于焊接不良引起的,幾乎超過(guò)電子元器件失效的概率,它使電子產(chǎn)品可靠性降低,輕則噪聲增加技術(shù)指標(biāo)劣化,重則電路板無(wú)法完成設(shè)計(jì)功能,更為嚴(yán)重的是導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)在未有任何前兆的情況下突然崩潰,造成重大的經(jīng)濟(jì)損失和信譽(yù)損失。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)的測(cè)試環(huán)節(jié)以及售后維修環(huán)節(jié),虛焊造成的故障讓技術(shù)人員在時(shí)間、精力上造成*大的浪費(fèi),有時(shí)為找一個(gè)虛焊點(diǎn),用上一整天的時(shí)間的情況并不鮮見(jiàn)。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程及維修過(guò)程中,即使從各方面努力,也無(wú)法杜絕虛焊現(xiàn)象,因此,虛焊一直是困擾電子行業(yè)的焦點(diǎn)問(wèn)題。筆者長(zhǎng)期從事電子產(chǎn)品裝聯(lián)、電子電路測(cè)試、電子產(chǎn)品優(yōu)化和電子產(chǎn)品系統(tǒng)維修,淺談《電子產(chǎn)品生產(chǎn)中虛焊分析及預(yù)防》,旨在減少虛焊的危害,提高電子產(chǎn)品質(zhì)量,也是拋磚引玉,以引起大家對(duì)虛焊的注。虛焊:在電子產(chǎn)品裝聯(lián)過(guò)程中所產(chǎn)生的不良焊點(diǎn)之一,焊點(diǎn)的焊接界面上未形成良好的金屬間化合物(IMC),它使元器件與基板間形成不可靠連接。(這里定義的虛焊指PCBA上的焊點(diǎn)虛焊。)產(chǎn)生原因:基板可焊面和電子元件可焊面被氧化或污染。深圳中低功率場(chǎng)效應(yīng)管出廠價(jià)
深圳市盟科電子科技有限公司致力于電子元器件,是一家生產(chǎn)型公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋MOSFETs,場(chǎng)效應(yīng)管,開關(guān)二*管,三*管 ,三端穩(wěn)壓管 LDO,集成電路IC 整流器等,價(jià)格合理,品質(zhì)有保證。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念,在電子元器件深耕多年,以技術(shù)為先導(dǎo),以自主產(chǎn)品為重點(diǎn),發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì),打造電子元器件良好品牌。在社會(huì)各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,不斷鑄造高質(zhì)量服務(wù)體驗(yàn),為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。