2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護的場效應管，封裝形式為SOT-23，深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場效應管的研發(fā)、生產和應用。主要生產場效應管，江門低壓場效應管，三*管，二*管，可控硅，LDO等。質量可靠，且提供全程的售前售后服務。這款2N7002產品是N溝道增強型帶靜電保護MOS，ESD可達2000V，其電壓BVDSS是大于60V，電流ID可達300mA，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆，開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產品包裝為3000PCS，標準絲印為7002和02K，江門低壓場效應管，也可以支持ODM定制，江門低壓場效應管，交期大多在15天就可以產出。主要用于電腦主板，鍵盤鼠標等。場效應管和mos管的區(qū)別是什么？江門低壓場效應管
我司主營場效應管，二*管，三*管，穩(wěn)壓電路，晶閘管，可控硅等半導體元器件，超過8種封裝如：SOT-23，SOT-23-3L，SOT-23-5L，SOT-23-6L，TO-252，TO-251，SOT-89，SOT-223等。產品廣泛應用于移動通信，計算機，電源，節(jié)能燈，玩具，儀器儀表，家用電器，工業(yè)自動化設備等領域，且可承接OEM / ODM定制。我司獲得多項國家實用新型專利和軟件著作權，為響應世界環(huán)保機構的倡導，保護全球日益嚴重的生態(tài)環(huán)境，從瑞士，日本，俄羅斯，等地采購質量的原材料和先進的生產設備，嚴格控制原材料的來源、生產過程等各個環(huán)節(jié)，先后通過了歐盟REACH-SVHC 211項環(huán)保檢測和RoHS認證，也通過了ISO9001：2015質量管理體系認證，確保產品符合國際標準�；葜萦惺裁磮鲂軆r錢盟科MK3401參數(shù)是可以替代萬代AO3401的參數(shù)。
2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。(3).焊接用的電烙鐵須要不錯接地。(4).在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分離。(5).MOS器件各引腳的焊接依次是漏*、源*、柵*。拆機時依次相反。(6).電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機械的各接線端子，再把電路板接上來。(7).MOS場效應晶體管的柵*在容許條件下，接入保護二*管。在檢修電路時應留意查明原來的保護二*管是不是損壞。JK9610A型功率場效應管測試儀：是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場效應管參數(shù)測試設備，可用于標稱電流約在2-85A，功率在300W以內的N溝導和P溝導功率場效應管主要參數(shù)的測試。場效應管測試儀它可以精確測量擊穿電壓VDSS、柵*打開電壓VGS(th)和放大特點參數(shù)跨導Gfs，更是是跨導Gfs的測試電流可以達到50A，由于使用脈沖電流測試法，即使在大電流測試時也不會對被測器件導致任何損壞，更可以在大電流狀況下對場效應管開展參數(shù)一致性的測試(配對)；儀器全然可用于同等電流等級的IGBT參數(shù)的測量；儀器還是一臺性能甚為優(yōu)于的電子元器件耐壓測試裝置，其測試耐壓時的漏電流有1mA、250uA、25uA三擋可以選項。
當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現(xiàn)了。MOS電容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反轉（VBG=3V），（C）積累（VBG=-3V）。正是當MOS電容的GATE相對于backgate是負電壓時的情況。電場反轉，往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了，這個器件被認為是處于accumulation狀態(tài)了。MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。假設source和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現(xiàn)了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。由電子組成的電流從source通過channel流到drain�？偟膩碚f，只有在gate對source電壓V超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流。盟科有TO封裝形式的場效應管。
MOS場效應半導體三*管雙*性三*管是電流控制器件，其輸入電阻不夠高，在許多場合下不能滿足人們的要求，經過不斷的探索和實踐，人們研制出一種仍具有PN結，但工作機理全然不同的新型半導體器件--場效應管(FET)。場效應三*管用電場效應來控制電流，故此命名，它的特點是輸入阻抗高、噪音低、熱穩(wěn)定性好且抗幅射能力強，在工藝上便于集成，因此得到廣的應用根據結構和原理的不同，場效應三*管可分為以下兩大類。①結型場效應三*管(JFET)②絕緣柵型場效應三*管(MOS管)結型場效應管（JFET）以N溝道結型場效應管為例，以一塊N型(多子為電子)半導體作基片，在它的兩側各光刻出一塊區(qū)域，進行高濃度P+擴散(三價的硼)，在兩側形成兩個PN結。兩個P+區(qū)的引出線連在一起，作為一個電*，稱之為柵*G。在N型半導體的兩端引出兩個電*，分別叫源*S和漏*D。3個電*G、S、D的作用，可以近似地認為分別相當于半導體三*管的基*B、射*E和集電*C。兩個PN結之間的區(qū)域，稱為導電溝道，當在漏*和源*間加上電壓，這個區(qū)域就是載流子流過的渠道，也就是電流的通道。由于這里的導電通道是N型半導體，所以這種管子叫N溝道結型場效應管，它的為符號如圖所示。箭頭的方向。盟科有SMD封裝形式的MOS管。東莞鋰電保護場效應管出廠價
盟科有SMD封裝形式的場效應管。江門低壓場效應管
簡稱晶體管）是內部含有2個PN結，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型，這兩種類型的三*管從工作特性上可互相彌補，所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用。按材料來分可分硅和鍺管，我國目前生產的硅管多為NPN型，鍺管多為PNP型。4、半導體三*管放大的條件:要實現(xiàn)放大作用，必須給三*管加合適的電壓，即管子發(fā)射結必須具備正向偏壓，而集電*必須反向偏壓,這也是三*管的放大必須具備的外部條件。5、半導體三*管的主要參數(shù)a;電流放大系數(shù)：對于三*管的電流分配規(guī)律Ie=Ib+Ic,由于基*電流Ib的變化，使集電*電流Ic發(fā)生更大的變化，即基*電流Ib的微小變化控制了集電*電流較大，這就是三*管的電流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。b;*間反向電流，集電*與基*的反向飽和電流。c;*限參數(shù)：反向擊穿電壓，集電*比較大允許電流、集電*比較大允許功率損耗。6、半導體三*管具有三種工作狀態(tài)，放大、飽和、截止，在模擬電路中一般使用放大作用。飽和和截止狀態(tài)一般合用在數(shù)字電路中。a;半導體三*管的三種基本的放大電路。b;三*管三種放大電路的區(qū)別及判斷可以從放大電路中通過交流信號的傳輸路徑來判斷，沒有交流信號通過的*。江門低壓場效應管
深圳市盟科電子科技有限公司辦公設施齊全，辦公環(huán)境優(yōu)越，為員工打造良好的辦公環(huán)境。在盟科電子近多年發(fā)展歷史，公司旗下現(xiàn)有品牌盟科,MENGKE等。我公司擁有強大的技術實力，多年來一直專注于一般經營項目是：二*管、三*管、電子元器件的技術開發(fā)、生產、加工與銷售；國內貿易、貨物及技術進出口 主營：場效應管 ，三*管 ，二*管 ，穩(wěn)壓電路 ，LDO低壓差穩(wěn)壓 ，快恢復 ，肖特基 ，可控硅晶閘管 ，電源IC ，OEM定制。 的發(fā)展和創(chuàng)新，打造高指標產品和服務。自公司成立以來，一直秉承“以質量求生存，以信譽求發(fā)展”的經營理念，始終堅持以客戶的需求和滿意為重點，為客戶提供良好的MOSFETs,場效應管，開關二*管，三*管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器，從而使公司不斷發(fā)展壯大。
