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        無錫油性光刻膠多少錢 吉田半導體供應

        發(fā)貨地點:廣東省東莞市

        發(fā)布時間:2025-05-09

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        詳細信息

         原料準備

        主要成分:樹脂(成膜劑,如酚醛樹脂、聚酰亞胺等)、感光劑(光引發(fā)劑或光敏化合物,如重氮萘醌、光刻膠單體)、溶劑(溶解成分,如丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA))、添加劑(調節(jié)粘度、感光度、穩(wěn)定性等,如表面活性劑、穩(wěn)定劑)。

        原料提純:對樹脂、感光劑等進行高純度精制(純度通常要求99.9%以上),避免雜質影響光刻精度。

         配料與混合

        按配方比例精確稱量各組分,在潔凈環(huán)境,如萬中通過攪拌機均勻混合,形成膠狀溶液。

        控制溫度(通常20-30℃)和攪拌速度,避免氣泡產(chǎn)生或成分分解。

         過濾與純化

        使用納米級濾膜(孔徑0.05-0.2μm)過濾,去除顆粒雜質(如金屬離子、灰塵),確保膠液潔凈度,避免光刻時產(chǎn)生缺陷。

         性能檢測

        物理指標:粘度、固含量、表面張力、分子量分布等,影響涂布均勻性。

        化學指標:感光度、分辨率、對比度、耐蝕刻性,通過曝光實驗和顯影測試驗證。

        可靠性:存儲穩(wěn)定性(常溫/低溫保存下的性能變化)、耐溫性(烘烤過程中的抗降解能力)。

         包裝與儲存

        在惰性氣體(如氮氣)環(huán)境下分裝至避光容器(如棕色玻璃瓶或鋁罐),防止感光劑氧化或光分解。

        儲存條件:低溫(5-10℃)、避光、干燥,部分產(chǎn)品需零下環(huán)境(如EUV光刻膠)。
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        化學反應:

        正性膠:曝光后光敏劑(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在堿性顯影液中溶解;

        負性膠:曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結構。

        5. 顯影(Development)

        顯影液:

        正性膠:堿性水溶液(如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH),溶解曝光區(qū)域;

        負性膠:有機溶劑(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光區(qū)域。

        方法:噴淋顯影(PCB)或沉浸式顯影(半導體),時間30秒-2分鐘,需控制顯影液濃度和溫度。

        6. 后烘(Post-Bake)

        目的:固化膠膜,提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。

        條件:

        溫度:100-150℃(半導體用正性膠可能更高,如180℃);

        時間:15-60分鐘(厚膠或高耐蝕需求時延長)。

        7. 蝕刻/離子注入(后續(xù)工藝)

        蝕刻:以膠膜為掩膜,通過濕法(酸堿溶液)或干法(等離子體)刻蝕基板材料(如硅、金屬、玻璃);

        離子注入:膠膜保護未曝光區(qū)域,使雜質離子只能注入曝光區(qū)域(半導體摻雜工藝)。

        8. 去膠(Strip)

        方法:

        濕法去膠:強氧化劑(如硫酸+雙氧水)或有機溶劑(如N-甲基吡咯烷酮NMP);

        干法去膠:氧等離子體灰化(半導體領域,無殘留)。

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        吉田半導體水性感光膠 JT-1200:水油兼容,鋼片加工精度 ±5μm

        JT-1200 水性感光膠解決鋼片加工難題,提升汽車電子部件制造精度。
        針對汽車電子鋼片加工需求,吉田半導體研發(fā)的 JT-1200 水性感光膠實現(xiàn)水油兼容性達 100%,加工精度 ±5μm。其高粘接強度與耐強酸強堿特性,確保復雜結構的長期可靠性。其涂布性能優(yōu)良,易做精細網(wǎng)點,適用于安全氣囊傳感器、車載攝像頭模組等精密部件。產(chǎn)品通過 IATF 16949 汽車行業(yè)認證,生產(chǎn)過程嚴格控制金屬離子含量,確保電子產(chǎn)品可靠性。

        關鍵工藝流程

         涂布:

        在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調整),需均勻無氣泡(旋涂轉速500-5000rpm)。

         前烘(Soft Bake):

        加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強附著力(避免顯影時邊緣剝離)。

         曝光:

        光源匹配:

        G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。

        DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲芯片)。

        EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級缺陷)。

        曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm),避免過曝或欠曝導致圖案失真。

         顯影:

        采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區(qū)域膠膜溶解,未曝光區(qū)域保留,形成三維立體圖案。

         后烘(Post-Exposure Bake, PEB):

        化學增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發(fā)光酸催化反應,提高分辨率和耐蝕刻性。
        正性光刻膠的工藝和應用場景。

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        吉田半導體獲評 "專精特新" 企業(yè),行業(yè)技術標準,以技術創(chuàng)新與標準化生產(chǎn)為,吉田半導體榮獲 "廣東省專精特新企業(yè)" 稱號,樹立行業(yè)。
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         企業(yè)定位與資質

        成立背景:深耕半導體材料行業(yè)23年,位于松山湖經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū),注冊資本2000萬元,是國家高新技術企業(yè)、廣東省專精特新企業(yè)及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)。

        質量體系:通過ISO9001:2008認證,嚴格執(zhí)行8S現(xiàn)場管理,原材料源自美國、德國、日本等國,確保產(chǎn)品穩(wěn)定性。

        市場布局:產(chǎn)品遠銷全球,與世界500強企業(yè)及多家電子加工企業(yè)建立長期合作關系,覆蓋集成電路、顯示面板、先進封裝等領域。


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         企業(yè)優(yōu)勢

        研發(fā)能力:擁有多項專利證書,自主研發(fā)芯片光刻膠、納米壓印光刻膠等產(chǎn)品,配備全自動化生產(chǎn)設備,具備從材料合成到成品制造的全流程能力。

        產(chǎn)能與品控:采用進口原材料和嚴格制程管控,確保金屬雜質含量低于行業(yè)標準(如半導體光刻膠金屬雜質<5ppb),良率達99%以上。

         

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